速度惊人英特尔X25-E固态硬盘测试

SLC封装最强SSD

如果要说2008年存储产业的三大关键词，相信“价格”、“Seagate”和“SSD”会是绝大多数人的选择：硬盘价格在08年一年中的价格跳水令人印象深刻，小编799大米购入的WD6400AAKS在不到半年的时间里贬值了50%；Seagate连续不断爆出的负面消息也让这个硬盘巨头吃足了苦头，要不是以仗着在企业级硬盘方面的巨大优势，也许硬盘老大的地位早已易手WD；而SSD这简单的三个字母恐怕将会对未来的硬盘产业产生极为深远的影响。

英特尔X25-E固态硬盘测试

IntelX25-E 32GB SSD

SSD，即固态硬盘的英文Solid State Disk的缩写。其实SSD早在几年前就已经开始显露头角，但2008年IT产业的旗舰级厂商Intel的涉足，让SSD真正开始威胁到传统硬盘厂商的地位。Intel首批推出的SSD型号是X25-M和X25-E，当时PChome就在第一时间为读者奉上了相关的评测文章（点击浏览《革命来临英特尔SSD硬盘X25-M实测》）。然而定位于企业级的X25-E因为价格高昂，产量稀少，即使我们多次联系，Intel方面也一直没有相关产品送测。近日，国外著名IT媒体Tom's Hardware拿到了X25-E 32GB并进行了测试，在暂时无法拿到实物的情况下，我们就先看看测试成绩解解馋吧。

制造商	Intel
型号编号	SSDSA2SH032G1GN
容量	32GB
其他容量	64GB
转速（RPM）	N/A
盘片数量	N/A
接口	SATA 3Gb/s
缓存（MB）	16MB
NCQ	支持
厚度	6.5mm
重量	78g
MTBF	200万小时
工作温度	0~70°C
抗冲击性能（读取状态，2ms ）	1000G
待机功耗	0.06W
负载功耗	2.4W

性能方面的官方数据包括：读取速度达到250MB/s，写入速度为170MB/s。在企业用户更为关心的I/O性能方面，X25-E在4KB随机读取可达到35000IOPS， 4KB随即写入达到3300IOPS，读取延迟75ms。每瓦性能为14000IOPS。

我们知道，X25-E同X25-M的最大区别就是前者采用速度更快、数据遗失率更低的SLC封装，那么究竟SLC同MLC的具体区别在哪里呢？接下来我们为读者做一个简单的说明。

SLC全称单层式储存 (Single Level Cell），是指一个Block（块，Flash的基本存储单元，也可称为Cell）只有两种电荷值，高低不同的电荷值表明0或者1，因为只需要一组高低电压就可以区分出0或者1信号，所以SLC最大的驱动电压可以做到很低。

SLC因为结构简单，在写入数据时电压变化的区间小，所以寿命较长，传统的SLC Flash可以经受10万次的读写，因此出现坏Block的几率较小，因为存储结构非常简单，一组电压即可驱动，所以其速度表现更好。不过这种一个 Block只存储一组数据的模式无法在相同的晶圆面积上实现较高的存储密度，所以只能在工艺制程方面努力进步，才能满足用户在容量方面的要求。

英特尔X25-E固态硬盘测试

SLC与MLC在结构上的区别

MLC（多层式储存—Multi Leveled Cell）是那种充分利用Block的技术，它采用较高的电压驱动，通过不同级别的电压在一个Block中记录两组位信息（00、01、11、10），这样就可以将原本SLC的记录密度理论提升一倍，这对于曾经工艺制程遇到瓶颈的NAND Flash而言，是非常好的消息。不过MLC除了同制程、同晶圆面积时理论大一倍的记录空间外，存在一些先天的弊端，比如说电压区间更小，Flash就需要更多的CRC校验空间，这会大概占据Block中10%的空间，因此实际使用中同制程同晶圆面积的MLC的容量不到SLC的一倍。

因为电压变化更频繁，所以MLC技术的Flash在寿命方面相较SLC要差一些，官方给出的可擦写次数仅为1万次，也就是说一张512MB的USB 闪存盘，你写入512MB的数据1万次（理论数值），它就报废了。这是MLC技术最致命的缺点。另外MLC技术还有一个缺点，就是它的读写速度不如 SLC。一个Block存储两组位数据，自然需要更长的时间，这里面还有电压控制、CRC写入方式等因素需要考虑。

综合而言，MLC技术在实现大容量方面有优势，但是寿命和性能都只能算是差强人意。SLC技术虽然在寿命和性能方面足以令人满意，但是较高的技术门槛以及实现大容量所需的成本较高成为了限制其发展的重要因素。但就防震、发热量以及运行噪音方面，MCL同SLC相比没有任何区别，面对传统机械硬盘时都绝对具有“秒杀”性的优势。