DDR4之DM,DBI and TDQS
DM：Data Mask
DBI：Data Bus Inversion
DDR4 SDRAM x8和x16颗粒支持数据掩码（DM）功能和数据总线反转（DBI）功能。x4颗粒不支持DM和DBI功能。X8颗粒支持TDQS功能，x4和x16颗粒不支持TDQS功能。
DDR4 SDRAM颗粒上有一个专用pin用于支持DM, DBI & TDQS功能，通常命名为DM_n/DBI_n/TDQS_t，它是双向的。由于DDR4支持VDDQ参考端接，因此DM_n/DBI_n/TDQS_t是低电平有效。TDQS功能不能在pin上驱动实际电平。
DM, DBI & TDQS功能通过DRAM模式寄存器（MR）编程。对应MR1寄存器的A11位和MR5寄存器A12:10位。
写操作：DM或DBI功能可以被使能（enabled），但不能同时使能。当DM和DBI功能被同时失能（disabled）时，DRAM将会关掉其输入接收器，而且被再接收任何有效的逻辑电平。
读操作：仅DBI功能适用。当DBI功能被失能（disabled）时，DRAM关掉其输出驱动器，而且不输出任何有效电平。
TDQS功能：当TDQS功能被使能（enabled）时，DM & DBI功能就都不支持了。当TDQS功能被失能（disabled）时，DM和DBI功能将会按照下表27的描述方式被支持。当TDQS功能被使能（enabled）时，与TDQS_t/TDQS_c pins相同的端接电阻功能将被应用到TDQS_t/TDQS_c pins上。
DM功能在写操作中的作用：当给定的字节lane的DM_n采集到低电平时，DRAM会掩掉DQ作为输入pin接收到的写操作数据。当给定字节lane的DM_n采集到高电平时，DRAM不会掩掉DQ作为输入pin接收到的写操作数据，而会写到其core中。
DBI功能在写操作中的作用：当给定的字节lane的DBI_n采集到低电平时，DRAM会反转DQ作为输入pin接收到的写操作数据。当给定的字节lane的DBI_n采集到高电平时，DRAM不会反转DQ作为输入pin接收到的写操作数据。
DBI功能在读操作中的作用：当写给给定字节lane的数据中‘0’的比特数大于4时，DRAM将会反转其输出到DQ作为输出pin上的读操作数据，并且驱动DBI_n pin为低电平。否则，DRAM将不会反转读操作数据，并且驱动DBI_n PIN为高电平。
参考文档《JESD79-4A》。