额定电压（Vds）
也称为漏源电压，通常我们所说的耐压，是指MOS管能够承受的最大电压差。
在选择MOS管时，应确保其额定电压高于工作电压，以提供足够的安全余量。对于感性负载或高开关频率的应用，由于可能产生较大的感应电动势，需要考虑更大的耐压余量。
额定电流（Id）
也称为连续漏极电流，是指MOS管在正常工作条件下能够承受的最大电流。
在选择MOS管时，应确保其额定电流高于预期的工作电流，以避免过载损坏。对于功率开关应用，通常会根据导通电阻来选择MOS管，以减少导通损耗。
导通电阻（Rds(on)）
是指MOS管在导通状态下的漏源电阻。
较低的导通电阻可以减少功率损耗和发热，提高系统的效率。在选择MOS管时，应根据散热条件和功率损耗要求来选择合适的导通电阻。需注意，在不同的栅极阈值电压下导通内阻是不同的。
栅极到源极阈值电压（ Vgs(th)）
是指使MOS管从截止状态转变为导通状态所需的最小栅源电压。
在选择MOS管时，应确保栅极电压高于阈值电压，以保证MOS管能够可靠地导通。同时还要考虑不同电压下的导通内阻是不同的，根据需求去选择合适的MOS管。
栅极和源极之间的最大值（Vgs）
当MOS管开始导通时，这个电压值较小；当栅极和源极间的电压值达到一个特定值时，MOS管才能完全导通。而加载这两端的电压值也有个极限，不能超过给出的最大值。
寄生电容
如输入电容（Ciss）、输出电容（Coss）和反馈电容（Crss），这些寄生电容会影响MOS管的开关特性和性能，特别是在高频应用中。
栅极充电电荷量（Qg）
是指在驱动MOSFET从截止状态到完全导通状态过程中，栅极电极所需注入的电荷量。栅极电荷量的值越小，意味着MOS管的开关速度可以更快，因为在给定的驱动电流下，充电所需的时间更短。
热阻（Thermal Resistance）
指MOS管在工作时产生的热量与其外部散热能力之间的关系。热阻较小的MOS管在散热方面表现更优，有助于保持电路的稳定性和可靠性。
封装类型
封装类型影响MOS管的安装、散热和电气性能。常见的封装类型包括TO-220、SO-8、DFN等。选择合适的封装类型可以优化PCB布局和提高系统的整体性能。
除了上述参数外，还需要考虑MOS管的其他特性，如工作温度、功率、雪崩耐压、反向恢复时间、漏电流等。这些参数对于确保MOS管在特定应用中的性能和可靠性至关重要。