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SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵(约MLC 3倍以上的价格),约10万次擦写寿命
MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500次擦写寿命,目前还没有厂家能做到1000次。
我的建议是 64G 的选择MLC 因为寿命长点 用的时间也长点
如果128G以上TLC的寿命也可以接受
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需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数,不是读出的次数,因为读取对芯片的寿命影响不大。
面是SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异
SLC 利用正、负两种电荷 一个浮动栅存储1个bit的信息,约10万次擦写寿命。
MLC 利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储2个bit的信息,约一万次擦写寿命,SLC-MLC【容量大了一倍,寿命缩短为1/10】。
TLC 利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储3个bit的信息,约500-1000次擦写寿命,MLC-TLC【容量大了1/2倍,寿命缩短为1/20】。
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最后来说一下NAND最基本的分类,就是SLC、MLC、TLC它们的差别。
SLC = Single-Level Cell,即1 bit per cell,只存在0和1两个充电值,结构简单但是执行效率高。SLC闪存的优点是传输速度更快,功率消耗更低和存储单元的寿命更长。然而,由于每个存储单元包含的信息较少,其每百万字节需花费较高的成本来生产,约10万次擦写寿命,在企业级SSD上比较常见,例如比较经典的Intel X25-E系列,此外还在某些高端U盘上使用。
MLC = Multi-Level Cell,即2 bit per cell,有00,01,10,11四个充电值,因此需要比SLC更多的访问时间,不过每个单元可以存放比SLC多一倍的数据。MLC闪存可降低生产成本,但与SLC相比其传输速度较慢,功率消耗较高和存储单元的寿命较低,约3000---10000次擦写寿命,大多数消费级SSD都是使用MLC做的。
TLC = Trinary-Level Cell,即3 bit per cell,每个单元可以存放比MLC多1/2的数据,共八个充电值,所需访问时间更长,因此传输速度更慢。TLC优势价格便宜,每百万字节生产成本是最低的,但是寿命短,只有约500次擦写寿命,通常用在U盘或者存储卡这类移动存储设备上。