对NAND FLASH 读写操作代码地址问题的注释解读

时间：2021-08-06 17:29:25
/*
本实验接口说明
*/
#include "include.h"

/*-----------------------函数声明----------------------------*/
void InitNandFlash(int info);
void cpy_bpage(void);
void add_bpage(unsigned int seq);

extern void Uart_Printf(char *fmt,...);
extern void Uart_Init(int baud);
extern void Uart_Select(int ch);

/*------------------------------------------------------------/
函数名称：InitNandCfg
功能描述：配置flash
传    参：无
返 回 值：无
-------------------------------------------------------------*/
static void InitNandCfg(void)
{

rNFCONF = (TACLS<<12)|(TWRPH0<<8)|(TWRPH1<<4)|(0<<0);
rNFCONT = (0<<13)|(0<<12)|(0<<10)|(0<<9)|(0<<8)|(1<<6)|(1<<5)|(1<<4)|(1<<1)|(1<<0);
}

/*------------------------------------------------------------/
函数名称：WaitNFBusy
功能描述：
传    参：无
返 回 值：static U32 stat&1
-------------------------------------------------------------*/
static U32 WaitNFBusy(void)// R/B 未接好?
{
U8 stat;

WrNFCmd(QUERYCMD);
do 
{
stat = RdNFDat();
}
while (!(stat&0x40));
WrNFCmd(READCMD0);
return stat&1;    //注意0为操作成功
}

/*------------------------------------------------------------/
函数名称：ReadChipId
功能描述：读flash ID
传    参：无
返 回 值：static U32 id
-------------------------------------------------------------*/
static U32 ReadChipId(void)
{
U32 id,k;

NFChipEn();//使能片选
WrNFCmd(RdIDCMD);//存储器命令值0x09  (1001)
WrNFAddr(0);//NAND Flash 存储器地址值 写0
while(NFIsBusy());//NAND Flash 运行状态寄存器 若忙碌 则等待
id  = RdNFDat()<<8;//字节访问  8位
for(k=0;k<500;k++);
id |= RdNFDat();
NFChipDs();//失能片选

return id;
}

/*------------------------------------------------------------/
函数名称：ReadStatus
功能描述：读FLASH状态
传    参：无
返 回 值：static U16 stat
-------------------------------------------------------------*/
static U16 ReadStatus(void)
{
U16 stat;

NFChipEn();
WrNFCmd(QUERYCMD);
stat = RdNFDat();
NFChipDs();

return stat;
}

/*------------------------------------------------------------/
函数名称：EraseBlock
功能描述：擦除 FLASH
传    参：U32 addr
返 回 值：U32 ~stat
-------------------------------------------------------------*/
U32 EraseBlock(U32 addr)
{
U8 stat;

addr &= ~0x3f;//找出需要擦除页所在块的起始页 擦除整个块block

NFChipEn();
WrNFCmd(ERASECMD0);//写地址命令需要写两次命令 ERASECMD0\ERASECMD1 见NAND FLASH DATASHEET
WrNFAddr(addr);  //这两行写地址代码，传送地址数据，本应该是 5个cycle 这里只用了前两个cycle 足以。
WrNFAddr(addr>>8);

WrNFCmd(ERASECMD1);
stat = WaitNFBusy();
NFChipDs();

return ~stat;
}

/*------------------------------------------------------------/
函数名称：ReadPage
功能描述：
传    参：U32 addr, U8 *buf
返 回 值：无
-------------------------------------------------------------*/
void ReadPage(U32 addr, U8 *buf)
{
U16 i;

NFChipEn();
WrNFCmd(READCMD0);
WrNFAddr(0);//前两个周期行地址cloumn写0
WrNFAddr(0);
WrNFAddr(addr);//后三个周期列地址row写页码（页码就是列地址）
WrNFAddr(addr>>8);
WrNFCmd(READCMD1);
InitEcc();
WaitNFBusy();
for(i=0; i<2048; i++)
buf[i] = RdNFDat();
NFChipDs();
}

/*------------------------------------------------------------/
函数名称：WritePage
功能描述：
传    参：U32 addr, U8 *buf
返 回 值：U32 ~stat
-------------------------------------------------------------*/
U32 WritePage(U32 addr, U8 *buf)
{
U32 i, mecc;
U8 stat, tmp[7];


NFChipEn();
WrNFCmd(PROGCMD0);
WrNFAddr(0);
WrNFAddr(0);
WrNFAddr(addr);
WrNFAddr(addr>>8);

InitEcc();//reset mecc and secc
MEccUnlock();
for(i=0; i<512; i++)
WrNFDat(buf[i]);
MEccLock();

mecc = RdNFMEcc());

tmp[0] = mecc&0xff;
    tmp[1] = (mecc>>8)&0xff;
    tmp[2] = (mecc>>16)&0xff;
    tmp[3] = (mecc>>24)&0xff;
    tmp[5] = 0xff;//mark good block



WrNFDat(0xff);//2048，坏块标志
    SEccUnlock();
WrNFDat(tmp[0]);//ECC校验码
WrNFDat(tmp[1]);
WrNFDat(tmp[2]);
WrNFDat(tmp[3]);
SEccLock();


WrNFCmd(PROGCMD1);
stat = WaitNFBusy();
NFChipDs();

return ~stat;


}

/*------------------------------------------------------------/
函数名称：nandMain
功能描述：入口函数
传    参：无
返 回 值：无
-------------------------------------------------------------*/
void nandMain(void) 
{ 
U16 ID,i; 
U8 buf[512]; 
U32 NFBlockNO=6; 
U32 NFPagesNO = 25; 
U32 status; 
U32 BlockPages;  //页码就是列地址 row  

BlockPages =(NFBlockNO<<6)+NFPagesNO; //1 Block = 64 Pages  2^6=64  第409pages

Uart_Init(115200); 
Uart_Printf("\nthe main is running\n"); 

InitNandCfg();            //初始化函数
ID=ReadChipId();//ID=ECf1 
Uart_Printf("\nnand flash`s ID is:%x\n",ID); 


    if(EraseBlock(BlockPages)&0x1==TRUE) 
    {   
Uart_Printf("\nblock %d is erased\n",NFBlockNO); 

ReadPage(BlockPages,buf); 

Uart_Printf("\n/***********************擦除之后flash中的数据 ****************/\n"); 
for(i=0; i<512; i++) 
        Uart_Printf("%4x", buf[i]); 


Uart_Printf("\n/***********************应写入数据****************/\n"); 
for(i=0; i<512; i++) 
{ 
buf[i] = i; 
Uart_Printf("%4x", buf[i]);   
    } 

      Uart_Printf("\nWrite data[%d block, %d page].\n", NFBlockNO,NFPagesNO); 
      status = WritePage(BlockPages,buf);  

     if(status&0x1==TRUE )   
      Uart_Printf("\nWrite OK.\n"); 
      else   
      Uart_Printf("\nWrite Error.\n");

     for(i=0; i<512; i++) 
        buf[i] = 1;         //为验证后边数组中的数据是来自flash


     ReadPage(BlockPages,buf); 
     Uart_Printf("\nRead data[%d block, %d page].\n", NFBlockNO,NFPagesNO); 

        Uart_Printf("\n/*********************** 读出的数据 ****************/\n"); 
        for(i=0; i<512; i++) 
        Uart_Printf("%4x", buf[i]); 
    }

else
Uart_Printf("\nblock %4x erased is bad\n",NFBlockNO); 

while(1); 
}

标签：
相关文章