光耦的输入端电压为-10V～10V（可能有时会到10多V），输入的电流只有10几个uA，脉冲的上升和下降沿时长为10ms左右，脉冲平均到达光耦管脚的周期为秒级；希望光耦的输出用于直接提供给单片机检测5V或0V判断“1”或“0"。请教大家：
1）是否使用达林顿光耦，如6N137，直接连接到输入的信号和地就好了?
2）达林顿光耦很多，指标也不尽相同，不知针对这个输入的情况，主要该关心光耦的哪些指标呀？
3）光耦输出端的逻辑“0”和“1”的区分，是否只能决定与输入端是否在1.2v以上么？假如判“0”的电压低于此电压该怎样处理呢？
谢谢！
5 个解决方案
#1
结帖率0 还是自己慢慢考虑吧
#2
to net_friends:
结帖率0
这个是啥意思？
结帖率0
这个是啥意思？
#3
你把简单问题复杂化了，首先你的输入模拟信号范围是-10——10V范围，那么你的电路就不可以用以上那么简单的方法实现了，那样会存在很多问题。
建议：前端用运放做电压跟随器，再将跟随的电压输入比较器进行电压比较（比较的阈值门槛电压由你自己根据需求设置），最后比较器输入至光耦，由光耦隔耦合后输出至MCU的IO端口。
当然，这样来就需要两个隔离电压了，由运放（电压跟随器+比较器）、光耦初级端为模拟信号采集电源。光耦次级、MCU部分为数字电源部分。这两个电压地不可共地，应当隔离。
如果你正处于设计阶段，建议你采用 以上方法，设计后的成品就没法子了。
建议：前端用运放做电压跟随器，再将跟随的电压输入比较器进行电压比较（比较的阈值门槛电压由你自己根据需求设置），最后比较器输入至光耦，由光耦隔耦合后输出至MCU的IO端口。
当然，这样来就需要两个隔离电压了，由运放（电压跟随器+比较器）、光耦初级端为模拟信号采集电源。光耦次级、MCU部分为数字电源部分。这两个电压地不可共地，应当隔离。
如果你正处于设计阶段，建议你采用 以上方法，设计后的成品就没法子了。
#4
谢谢！这个帖子有点时间了，呵呵，您说的正是我实践的。不过不能这么简单的实现的原因，不是电压的问题，而是电流过小。只是不是很清楚电压跟随器如LM358到底是否有必要，因为，如LM339应该可以直接面对弱电流信号的。
#5
OK，祝你好运。
#1
结帖率0 还是自己慢慢考虑吧
#2
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#3
你把简单问题复杂化了，首先你的输入模拟信号范围是-10——10V范围，那么你的电路就不可以用以上那么简单的方法实现了，那样会存在很多问题。
建议：前端用运放做电压跟随器，再将跟随的电压输入比较器进行电压比较（比较的阈值门槛电压由你自己根据需求设置），最后比较器输入至光耦，由光耦隔耦合后输出至MCU的IO端口。
当然，这样来就需要两个隔离电压了，由运放（电压跟随器+比较器）、光耦初级端为模拟信号采集电源。光耦次级、MCU部分为数字电源部分。这两个电压地不可共地，应当隔离。
如果你正处于设计阶段，建议你采用 以上方法，设计后的成品就没法子了。
建议：前端用运放做电压跟随器，再将跟随的电压输入比较器进行电压比较（比较的阈值门槛电压由你自己根据需求设置），最后比较器输入至光耦，由光耦隔耦合后输出至MCU的IO端口。
当然，这样来就需要两个隔离电压了，由运放（电压跟随器+比较器）、光耦初级端为模拟信号采集电源。光耦次级、MCU部分为数字电源部分。这两个电压地不可共地，应当隔离。
如果你正处于设计阶段，建议你采用 以上方法，设计后的成品就没法子了。
#4
谢谢！这个帖子有点时间了，呵呵，您说的正是我实践的。不过不能这么简单的实现的原因，不是电压的问题，而是电流过小。只是不是很清楚电压跟随器如LM358到底是否有必要，因为，如LM339应该可以直接面对弱电流信号的。
#5
OK，祝你好运。