半导*造工艺分为逻辑制程（也叫逻辑工艺）和特殊制程（也叫特色工艺）。
1、逻辑工艺概述
随着集成电路行业沿着摩尔定律不断发展，晶体管数量增加的同时，工艺节点不断缩小。先进逻辑工艺是相对的概念，2005年全球先进逻辑工艺的工艺节点在65/55纳米，现在则变为3纳米。中国的先进逻辑工艺节点是14纳米。
摩尔定律是由英特尔公司联合创始人之一戈登·摩尔在1965年所提出的理论。该定律是指集成电路上可容纳的晶体管数量每隔18-24个月会翻倍。也就是说，同样大小的芯片内可以容纳的晶体管数量会在每个一段时间内增加一倍。
半导体逻辑工艺指的是用于制造数字逻辑集成电路（如CPU、GPU、微控制器等）的一系列半导*造技术。这些工艺包括多个步骤，如晶圆制备、图案化（光刻）、材质掺杂（离子注入）、薄膜沉积（如化学气相沉积CVD、物理气相沉积PVD）、蚀刻、互连、测试和封装等。
逻辑工艺的关键特点包括：
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特征尺寸：逻辑工艺的特征尺寸（如20nm、14nm、7nm等）决定了晶体管的最小尺寸，影响芯片的性能和功耗。
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晶体管结构：逻辑工艺涉及晶体管的设计，如平面晶体管或立体的FinFET晶体管，后者用于更先进的工艺以减少漏电流。
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互连技术：随着特征