通过优化绝缘体厚度并引入Ag纳米线的表面等离激元,增强了p-GaN / i-Al2O3 / n-ZnO异质结LED的增强的近紫外电致发光 时间:2021-04-29 23:44:44 【文件属性】: 文件名称:通过优化绝缘体厚度并引入Ag纳米线的表面等离激元,增强了p-GaN / i-Al2O3 / n-ZnO异质结LED的增强的近紫外电致发光 文件大小:2.6MB 文件格式:PDF 更新时间:2021-04-29 23:44:44 研究论文 通过优化绝缘体厚度并引入Ag纳米线的表面等离激元,增强了p-GaN / i-Al2O3 / n-ZnO异质结LED的增强的近紫外电致发光 立即下载