通过优化绝缘体厚度并引入Ag纳米线的表面等离激元，增强了p-GaN / i-Al2O3 / n-ZnO异质结LED的增强的近紫外电致发光

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文件名称：通过优化绝缘体厚度并引入Ag纳米线的表面等离激元，增强了p-GaN / i-Al2O3 / n-ZnO异质结LED的增强的近紫外电致发光

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更新时间：2024-05-19 17:31:24

研究论文

通过优化绝缘体厚度并引入Ag纳米线的表面等离激元，增强了p-GaN / i-Al2O3 / n-ZnO异质结LED的增强的近紫外电致发光