文件名称：CMOS集成电路工艺.rar
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更新时间：2023-07-29 01:43:32
IC CVD CMOS PNP NPN
生长一层薄氧化层 淀积一层氮化硅 光刻场隔离区，非隔离区被光刻胶保护起来 反应离子刻蚀氮化硅 场区离子注入 热生长厚的场氧化层 去掉氮化硅层、薄氧化层
【文件预览】：
CMOS集成电路工艺
----10.3 CMOS集成电路工艺集成.pdf(614KB)
----10-5-第3章 热氧化.pdf(2.85MB)
----9.3--1 刻蚀技术-干法刻蚀 典型应用.pdf(520KB)
----8.3.4光刻-光学曝光增强技术.pdf(649KB)
----8.3.6 光刻-新技术展望.pdf(322KB)
----16-8-31第1章 硅片制造.pdf(1.44MB)
----9.2 刻蚀技术-湿法刻蚀.pdf(912KB)
----6.1 CVD（上）（新）.pdf(1.46MB)
----8.3.3 光刻-紫外曝光技术.pdf(381KB)
----10 工艺集成--隔离技术.pdf(530KB)
----第5章 离子注入.pdf(2MB)
----4 扩散.pdf(2.64MB)
----10.4 双极集成电路.pdf(497KB)
----8.3.5 光刻-其它曝光技术.pdf(335KB)
----绪论.pdf(3.48MB)
----第6章 CVD（下）.pdf(1.25MB)
----8.2 光刻-工艺流程.pdf(550KB)
----8.3 光刻-制版技术.pdf(695KB)
----第7章 PVD.pdf(2.25MB)
----第2章 外延（新）.pdf(1.43MB)
----8.3.2 光刻-光刻胶.pdf(509KB)