文件名称：ZnRh2O4电子结构与光学性质的第一性原理计算 (2010年)
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更新时间：2024-06-05 20:25:58
工程技术 论文
利用基于密度泛函第一性原理的 GGA方法,研究 ZnRh2O4的电子结构和光学性质。计算结果表明: ZnRh2O4具有明显的半导体能带结构特征,其带隙宽度为1.084 eV,且在费米能级附近的态主要由 Rh的4d态构 成。ZnRh2O4的静态介电常数为8.215,静态折射率为2.866,介电函数吸收边位于1.0 eV附近。在能量为0~8.44 eV区域,ZnRh2O4的反射系数随着能量的升高而逐渐增大;随后随能量的增大而逐渐减小;在能量为 11.98 eV 时,达到极小值,然后随能量的增大,再次逐渐增大;