基础电子中的磁滞饱和与直流极化

时间:2023-12-06 05:00:34
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文件名称:基础电子中的磁滞饱和与直流极化

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更新时间:2023-12-06 05:00:34

基础电子中的磁滞饱和与直流极化 基础电子

B与H的关系如图所示。首先从A点开始,增大磁场强度使曲线到B点。然后减小磁场强度,曲线将通过C点,磁场强度为负时曲线将通过D点和E点。再沿正方向增大磁场强度时,曲线将经F点回到B点。曲线包围的闭合区域称为磁滞回线,其原因是困为改变磁芯磁性分子方向需要一定的能量。D、A两点之间的H值称为矫顽力,即将磁芯中的剩余磁性减小到零所需要的磁场强度值。   图 磁滞回线   磁导率定义为比值s/H,可从BH曲线的斜率得到。当处理小的交流信号时,我们所关心的区域被限制在一个相当窄的范围内。可以认为,磁导率由曲线在原点处的导数决定。B-H曲线的导数有时称为微分磁导率。   若引入直流偏磁,静态工作点


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