文件名称：利用硅上倾斜V形槽结构制作闪耀光栅
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更新时间：2024-03-01 10:12:10
闪耀光栅 各向异性 blazed gr anisotrop
以偏离〈100〉面25.24°的硅〈113〉晶面为基底,采用氧化、光刻等平面工艺,在其上制成光栅常数为36μm的二氧化硅光栅图形作掩模,用常规的硅各向异性腐蚀,在硅上形成连续倾斜的V形槽结构,制成槽距为36μm波长6328(?)时衍射效率达69%的闪耀光栅,进一步缩小槽距,可望获得实用的闪耀光栅.
利用硅上倾斜V形槽结构制作闪耀光栅
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