Vishay发布新款IGBT和MOSFET驱动器

时间:2023-11-10 00:21:39
【文件属性】:

文件名称:Vishay发布新款IGBT和MOSFET驱动器

文件大小:41KB

文件格式:PDF

更新时间:2023-11-10 00:21:39

Vishay发布新款IGBT和MOSFET驱动器 其它

导读:近日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备,以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T,扩充其光电子产品组合。   VOW3120-X017T的最短电气间隙和外爬电距离为10mm.该器件不仅具有长隔离距离,还具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔离电压,非常适合在高工作电压下运转的应用及污染程度较重的环境。   除了具有优异的隔离能力,使用可靠和久经考验的光电子技术,VOW3120-X017T还具有目前最好的的电性能。VOW3120能抑制50kV/μs的典


网友评论