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文件名称：过量镁掺杂的p-GaN的变温霍尔效应研究 (2007年)
文件大小：206KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-20 23:26:47
自然科学 论文
利用变温霍尔效应研究了过量镁掺杂p-GaN样品空穴浓度随温度变化以及迁移率与掺杂浓度的关系,指出了过量镁掺杂引起位错密度的增加是导致空穴载流子浓度随掺杂浓度增加而减少的主要原因。尽管适当增加镁的掺杂浓度可以提高样品中空穴的迁移率,但是超高的重掺杂将会导致样品中的空穴浓度和迁移率同时急剧下降。