文件名称：GeCl4含氢杂质脱除工艺研究 (2010年)
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更新时间：2024-06-10 23:47:22
工程技术 论文
制备光纤用 GeCl4需要二项关键技术的支撑,分别是深度脱除 GeCl4中的金属杂质和含氢杂质。深度脱 除金属杂质,国内外厂家已有成熟的技术和工艺设备实现。深度脱除含氢杂质,则是整个光纤用GeCl4制备工艺 的技术难题。目前,国内缺乏能生产高品质光纤用 GeCl4的技术和厂家,绝大多数光纤用 GeCl4产品依赖国外进 口。因此,研究脱除 GeCl4含氢杂质的工艺技术,对于我国锗产业打破国外技术*,提高经济效益和国际竞争 力有着重要意义。以某厂高纯 GeCl4为原料,选择蒸馏工艺进行试验,对 GeCl4中