闪存主要特性-ttl cmos pecl lvpecl lvds hcsl信号电平及阻抗匹配标准

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文件名称：闪存主要特性-ttl cmos pecl lvpecl lvds hcsl信号电平及阻抗匹配标准
文件大小：28.03MB
文件格式：PDF
更新时间：2021-07-09 13:18:17
STM32F05x8 3 嵌入式闪存 3.1 闪存主要特性 ● 高达 64K 字节闪存存储器 ● 存储器结构： – 主闪存模块：16K 字（16K×32 位） – 信息模块：1K 字（1K×32 位） 闪存接口的特性为： ● 带预取缓冲器的读接口 ( 每字为 2×64 位 ) ● 选择字节加载器 ● 闪存编程 / 擦除操作 ● 访问 / 写保护 ● 低功耗模式 3.2 闪存功能描述 3.2.1 闪存结构 闪存空间由 32 位宽的存储单元组成，既可以存代码又可以存数据。主闪存块按 64 页（每页 1K 字节）或 16 扇区（每扇区 4K 字节）分块，以扇区为单位设置写保护（参见存储保护相关 内容）。 表 3. Flash 模块结构 Flash 区 Flash 存储器地址 大小 ( 字节 ) 名称 描述 主存储块 0x0800 0000 - 0x0800 03FF 1K 页 0 扇区 0 0x0800 0400 - 0x0800 07FF 1K 页 1 0x0800 0800 - 0x0800 0BFF 1K 页 2 0x0800 0C00 - 0x0800 0FFF 1K 页 3 …… …… …… 0x0800 7000 - 0x0800 73FF 1K 页 60 扇区 15 0x0800 7400 - 0x0800 77FF 1K 页 61 0x0800 7800 - 0x0800 7BFF 1K 页 62 0x0800 7C00 - 0x0800 7FFF 1K 页 63