文件名称：防止误写操作的保护措施-windows internals part 2(6th) 无水印pdf
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更新时间：2024-06-27 11:57:46
PIC18F46k80 中文资料
8.6 代码保护期间的操作 数据 EEPROM 存储器在配置字中有它自己的代码保护 位。如果代码保护机制被使能，外部读写操作就被禁止。 单片机本身可以读写内部数据 EEPROM，与代码保护 配置位的状态无关。更多信息，请参见第 28.0 节 “CPU 的特殊功能 ”。 8.7 防止误写操作的保护措施 有些情况下，器件并不希望写入数据EEPROM存储器。 为了防止 EEPROM 误写操作，器件实现了各种保护机 制。上电时， WREN 位被清零。而且，上电延时期间 （TPWRT，参数 33）也会阻止对EEPROM 进行写操作。 在欠压、电源故障或软件故障期间，写操作的启动序列 以及 WREN 位可共同防止意外写操作的发生。 8.8 使用数据 EEPROM 数据 EEPROM 是高耐用性可字节寻址的阵列，已将其 优化以便存储频繁变动的信息（例如，程序变量或其他 经常更新的数据）。频繁变动值的更新频率通常高于规 范 D124 中的规定。如果情况并非如此，必须执行阵列 刷新。出于此原因，不经常更新的变量（如常量、ID 和 校准值等）应存储在闪存程序存储器中。 简单的数据 EEPROM 刷新程序如例 8-3 中所示。 例 8-3： 数据 EEPROM 刷新程序 注： 如果数据EEPROM仅用于存储常量和 /或 很少改变的数据，没有必要执行阵列刷 新。请参见规范 D124。 CLRF EEADR ; Start at address 0 CLRF EEADRH ; BCF EECON1, CFGS ; Set for memory BCF EECON1, EEPGD ; Set for Data EEPROM BCF INTCON, GIE ; Disable interrupts BSF EECON1, WREN ; Enable writes LOOP ; Loop to refresh array BSF EECON1, RD ; Read current address MOVLW 55h ; MOVWF EECON2 ; Write 55h MOVLW 0AAh ; MOVWF EECON2 ; Write 0AAh BSF EECON1, WR ; Set WR bit to begin write BTFSC EECON1, WR ; Wait for write to complete BRA $-2 INCFSZ EEADR, F ; Increment address BRA LOOP ; Not zero, do it again INCFSZ EEADRH, F ; Increment the high address BRA LOOP ; Not zero, do it again BCF EECON1, WREN ; Disable writes BSF INTCON, GIE ; Enable interrupts 2011 Microchip Technology Inc. 初稿 DS39977C_CN 第 149 页