浅析硅单晶COP缺陷的产生和消除 (2010年)

【文件属性】：

文件名称：浅析硅单晶COP缺陷的产生和消除 (2010年)

文件大小：269KB

文件格式：PDF

更新时间：2024-06-11 04:24:20

工程技术 论文

在集成电路飞速发展的过程中，特征线宽逐渐缩小，并要求无缺陷的衬底硅片。但由于单晶生长过程中会产生空洞性缺陷COP，直接影响了CMOS器件的GOI。通过改变热场温度梯度，可以有效改善单晶的COP，改善后的重掺Sb衬底经外延后，COP被“覆盖”，而不对外延层造成影响。