文件名称：集成电路互连线电迁移建模综述 (2009年)
文件大小：362KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-06-12 09:57:15
自然科学 论文
简要介绍了集成电路互连线建模发展的历史。回顾了曾广泛使用的一维电迁移引起的回流模型。基于原子通量散度的概念,电迁移建模可以分为两种方法。一种是常用的扩散路径法,该方法能够解释传统的铝片上金属互连的许多重要电迁移现象。然而,随着芯片尺寸越来越小,工业界为了追求更好的性能,转向了使用铜/低 k组合作为互连材料,同时引进了三维集成电路技术。顺应这种趋势,第二种驱动力电迁移建模方法发展了起来,该方法有助于人们理解窄互连工艺中的许 多现象。有限元模拟也越来越多地用于驱动力分析法。