各种测试的校准和比对性-ESD模型及有关测试

时间:2024-05-13 05:49:16
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文件名称:各种测试的校准和比对性-ESD模型及有关测试

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更新时间:2024-05-13 05:49:16

ESD

各种测试的校准和比对性 实际上使用TLP/HBM等的结果很多情况下是不一致的,即使一样的设备和测试方法有时候重复性也不是很好。ESDA:硬盘驱动IC、音频IC、数据通信接口IC、汽车电子IC,0.9、1.2、1.5工艺 一般: TLP的IT2×1500=HBM MM×(9-10)=HBM IEC-(1300-2000)=HBM 栅氧ESD击穿电压=1.2×栅氧静态击穿电压 *栅氧击穿场强×栅氧厚度=静态击穿电压


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