HBM/MM测试内容-ESD模型及有关测试

时间:2024-05-13 05:49:14
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文件名称:HBM/MM测试内容-ESD模型及有关测试

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更新时间:2024-05-13 05:49:14

ESD

HBM/MM测试内容 所有管脚(一次一根)对(第X组)接地管脚(接地) 所有管脚(一次一根)对(第y组)电源管脚(接地) 所有I/O管脚(一次一根)对所有其他I/O管脚(接地) NC管脚 ——依美军标MIL-883不测试 ——依民标ESDA/JEDEC/AEC均要求测试 在每一测试模式下,IC的该测试脚先被打上(Zap)某一ESD电压,而且在同一ESD电压下,IC的该测试脚必须要被Zap三次,每次Zap之间的时间间隔约一秒钟,Zap三次之后再观看该测试脚是否己被ESD所损坏,若IC尚未被损坏则调升ESD的电压,再Zap三次。此ESD电压由小而逐渐增大,如此重复下去,直到该IC脚己被ESD所损坏,此时造成IC该测试脚损坏的ESD测试电压称为『静电放电故障临界电压 (ESD failure threshold)』。


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