气辅注射成型制品气泡缺陷形成机理 (2006年)

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文件名称：气辅注射成型制品气泡缺陷形成机理 (2006年)
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更新时间：2021-05-29 18:50:35
工程技术 论文 研究了气辅注射成型制品气道内壁气/熔两相界面处蜂窝状气泡的形成机理。在气辅注射成型工艺过程中,高压 N 2 达到了超临界状态,导致 N 2 流体向熔融的聚合物熔体内部扩散,泄压后扩散到熔体中的 N 2 流体达到过饱和状态,靠近气/熔两相界面的过饱和 N 2 流体通过界面扩散逸出,剩下的 N 2 流体就在聚合物熔体内部靠近内壁界面处形成蜂窝状气泡。并据此提出了如何减少气道内壁气泡缺陷的工艺条件。