C/SiC制备过程中的碳化工艺及碳化后碳支架性能的研究 (2012年)

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文件名称：C/SiC制备过程中的碳化工艺及碳化后碳支架性能的研究 (2012年)
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更新时间：2021-05-30 09:21:28
自然科学 论文 对C/SiC复合材料制备过程中碳化工艺进行了探索，包括碳化前造孔剂类型及质量分数的确定，碳化过程中碳化温度和碳化速度的确定等．用SEM和XRD分别对碳化后碳支架的孔道结构和相结构进行了分析，此外，也对碳支架的收缩率做了一定的测试．结果表明：选择造孔剂为淀粉且质量分数在14％～16％为最佳，碳支架的孔道包含孔道，微孔和大孔三种类型，碳支架的相结构主要为玻璃态结构的石墨，且碳支架的收缩率在长度和半径方向均一致．