文件名称：SOI纳米波导的优化制备与弯曲损耗测试* (2012年)
文件大小：2KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-05-15 14:12:23
工程技术 论文
捅 要：主要针对目前SOI(Silicon-on-insulator)纳米光波导结构弯曲损耗严重的问题，系统地进行了理论仿真分析，设计出最佳的纳米波导结构，并采用MEMS工艺对其进行加T制备与优化处理。后利用了SEM(扫描电子显微镜)、AFM(原子力显微镜)、透射谱功率法等研究手段精确测试了在高纯氮退火和BOE腐蚀后处理不变的情况下，不同温度热氧化退火处理下的波导侧壁粗糙度和对应的弯曲损耗，结果表明：波导的侧壁粗糙度随退火温度的变化近似呈二次抛物线变化趋势，在900℃附近达到最低值2．1 nm，对应的半径