文件名称：ZnO纳米线PL光谱性质改善的研究 (2012年)
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更新时间：2024-07-02 09:04:31
自然科学 论文
采用CVD方法在管式炉中生长了ZnO纳米线，并通过SEM、TEM和PL光谱仪表征了其形貌、结构及光谱性质。利用Au表面等离激元共振与材料的相互作用，在ZnO纳米线表面镀上Au膜，发现其对ZnO纳米线的PL光谱有明显的改善，纳米线本征发光增强20倍左右，缺陷发光有显著的减弱。通过高温退火．结果显示ZnO纳米线的本征发光和缺陷发光之间存在很强的竞争，在入射光功率一定的条件下，高温退火后 ZnO纳米线的本征发光明显地减弱，缺陷发光显著地增强。对退火后的ZnO纳米线镀上Au膜，发现其本征发光增强了30倍左右。这些