文件名称：基于Cr：ZnS饱和吸收体的Tm：YAP激光器的无源Q开关锁模
文件大小：384KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-04-24 11:40:29
研究论文
以Cr：ZnS晶片作为可饱和吸收体，据我们所知，它首次实现了二极管泵浦的Tm：YAP激光器在1976 nm处的无源Q开关锁模，其调制度接近100％。达到了Q开关锁模的深度。 在大约300 ns长的Q开关脉冲包络内，锁模脉冲的宽度估计约为980 ps，重复频率为350 MHz。 获得的最大输出功率为940 mW，对应于0.55 mJ的调Q脉冲能量。 提出并讨论了连续波与调Q锁模操作之间的发射波长演化。 实验结果表明，Cr：ZnS吸收剂是一种有前景的可饱和吸收剂，可用于2μm左右的被动Q开关锁模操作。