文件名称：锡聚阳离子包合物：组成与晶体和电子结构之间的相互关系
文件大小：46KB
文件格式：PDF
更新时间：2024-07-19 12:49:57
学术 论文
锡聚阳离子包合物：Cu3AsS3 Cu3AsSe3 和 Cu3AsS3 Cu3SbS3 系统中组成与晶体和电子结构的相互关系 Andreas Roduch，Arno Pfitzner * 雷根斯堡大学无机化学研究所，Universitätsstr. 31、D-93040 Regensburg 关键词：铜硫属化物； 电子结构 在 Cu3AsS3 (1×) Se3x 系统中，高达 x 0.7 的硫可以被Selenium取代。 Cu3AsS3 (1×) Se3x 的立方晶格参数的变化遵循 Vegard 规则。 在较高的Selenium含量下，会形成以前未识别的二元铜和砷硫属元素化物。 取代行为表明，以 Cu12As4S13 类型结晶的 Cu3AsS3 中的现有缺陷被填充。 对于 Cu12Sb4S13（四面体），进行了能带结构计算以解释延伸至成分 Cu14Sb4S13 的相宽度。 额外的铜原子占据了 Cu12Sb4S13 [1] 的间隙位点，而早先这一相宽度被解释为铜离子迁移率增加。 从电子结构可以推断出 Cu12Sb4S13 具有金属特性。 额外的电子（每个晶胞 4e?）以费米边缘上方的未占