绝缘栅双极型晶体管脉冲工作时结温特性及温度分布研究 (2012年)

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文件名称：绝缘栅双极型晶体管脉冲工作时结温特性及温度分布研究 (2012年)
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更新时间：2021-05-29 03:19:12
工程技术 论文 建立了电热藕合和损耗热场藕合计算模型,采用该模型,获得了相同外部条件下的绝缘栅双极型晶体管(ICTBT)芯片结温波动特性及温度分布特征,完成了使用红外热成像实时探测短时脉冲工作方式下工(,TBT芯片表面温度波动及分布特性的预测。探测结果表明,在一定散热条件和占空比不大的情况时,短时脉冲间歇等非周期瞬态工作方式下芯片表面温度快速上升之后,进入一个缓慢的上升周期,实验也表明,在特殊工作场合时可突破器件手册推荐使用的最大电流值。利用建立的热分析模型,还可以实现对不同工作方式下器件结壳温差和结温波动幅度的预测。