外腔法压窄半导体激光器线宽的二阶理论 (1990年)

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文件名称：外腔法压窄半导体激光器线宽的二阶理论 (1990年)

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更新时间：2024-05-14 20:51:11

自然科学 论文

对耦合于长无源外腔的半导体激光器的线宽行为进行了二阶理论分析，首次得到了外腔半导体激光器的线宽压窄率随外腔长的增加而出现饱和的结论。并给出了饱和因子的表述式。