文件名称：以单质Si、C原料制备反应烧结碳化硅的研究* (2003年)
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更新时间：2024-06-08 22:49:31
自然科学 论文
以C-Si坯体融渗Si的方法制备反应烧结碳化硅，研究了坯体中Si含量对素坯结构、物相组成以及材料性能的影响。C转化为SiC时的体积效应是引起坯体毛细管阻塞的主要原因。Si粉的掺入提供了精细地调整坯体结构的手段，使SiC的转化率得以提高。烧结过程研究表明，预掺Si使部分SiC的合成反应提前进行，反应发热得以减缓。当调整坯体中C含量为0.84g/cm3时，制得了密度与断裂强度分别为3.09g·cm-3和550±25MPa的反应烧结碳化硅材料。