铸造多晶硅的吸杂 (2006年)

【文件属性】：

文件名称：铸造多晶硅的吸杂 (2006年)

文件大小：2.24MB

文件格式：PDF

更新时间：2024-05-31 22:17:39

自然科学 论文

吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段。比较了在800℃、900℃和l 000℃条件下经2 h的磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂处理后的多晶硅少子寿命、电性能差异。实验结果表明，磷铝共吸杂少子寿命的增加比仅用磷、铝单独吸杂都明显，但3种吸杂方式对太阳电池电性能都没太大影响；同时发现退火到700℃ 的热处理并不能有效地改善磷吸杂效果。