文件名称：GaN LED量子阱光发射模型 (2005年)
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更新时间：2024-06-09 23:25:31
自然科学 论文
在分析GaNLED量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上，考虑量子限制Stark效应和Franz-Keldysh效应，提出了一种基于InGaN有源区的载流子复合及光发射模型。模拟结果表明LED的光发射效率和波长依赖于有源区In组分变化引起的势能涨落和阱尺寸，并得到LED发光波长红移的原因为：非故意掺杂引入新的施主能级和受主能级，新能级之间以小于带隙的能量跃迁；Fmnz-Kddysla～随阱厚的增加而加强；压电极化和自发极化形成的内电场在空间上将电子和空穴隔开，但电手和空穴波函数的交叠允许它们在较低的能级上辐