碳二亚胺的电子能量损失谱

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更新时间:2024-07-19 13:11:24

学术 论文

碳二亚胺的电子能量损失谱 碳二亚胺的电子能量损失谱 O. Lichtenberger* a, J. Woltersdorf a, N. Heringb 和 R. Riedelb a Halle, Max-Planck-Institut fuÈ r Mikrostrukturphysik b Darmstadt, Technist Feststoffe, Fachbereich Materialwissenschaft 2000 年 1 月 10 日收到,2000 年 5 月 8 日修订。献给 Gerd Becker 教授 60 岁生日摘要。 具有碳二亚胺键的化合物对有机合成、材料科学和生物化学具有特殊意义。 碳二亚胺的化学React性及其利用源于它们的电子结构,可以通过电子光谱方法进行研究。 已经记录了二环己基碳二亚胺、聚甲硅烷基碳二亚胺和聚钛基碳二亚胺的电子能量损失光谱。 解释了 C±K、N±K、Si±L2,3 和 Ti±L2,3-电离边缘的近边缘结构 (ELNES) 及其起始点以及低损耗区域的特征通过使用密度泛函理论 (DFT) 从头计算的量子化学计算。 关键词:碳二亚胺; 电子能


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