【文件属性】：
文件名称：由于发射结正偏-微机原理课件
文件大小：7.33MB
文件格式：PPT
更新时间：2021-04-25 00:09:49
微机原理
（1）由于发射结正偏：
有大量的电子从发射区向
基区扩散，形成的电流IEN。
晶体管的电流分配
2. 载流子的传输过程:
ICN
使扩散到集电结边沿的电子,很快被收集到集电区;形成集电极电流ICN。
（3）因集电结反偏：
IEN
ICBO
基区的空穴从基区向发射区扩散，形成的电流IEP。
（2）基区的空穴和发射区扩散到基区的电子复合，形成的电流IBN。
IBN
使集电结两侧的少子形成漂移电流ICBO。
E
B
C
N
+
P
N
U
EB
U
CB
IEP