文件名称：由于发射结正偏-微机原理课件
文件大小：7.33MB
文件格式：PPT
更新时间：2024-05-14 17:56:29
微机原理
（1）由于发射结正偏： 有大量的电子从发射区向 基区扩散，形成的电流IEN。 晶体管的电流分配 2. 载流子的传输过程: ICN 使扩散到集电结边沿的电子,很快被收集到集电区;形成集电极电流ICN。 （3）因集电结反偏： IEN ICBO 基区的空穴从基区向发射区扩散，形成的电流IEP。 （2）基区的空穴和发射区扩散到基区的电子复合，形成的电流IBN。 IBN 使集电结两侧的少子形成漂移电流ICBO。 E B C N + P N U EB U CB IEP