BaBrCl：Ce3+光存储性能的研究 (2006年)

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文件名称：BaBrCl：Ce3+光存储性能的研究 (2006年)
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更新时间：2021-05-24 14:00:12
自然科学 论文 采用高温固相反应法制备了Ce3+掺杂的BaBrCl材料。研究了样品的荧光光谱，经X射线辐照前后的吸收光谱及差吸收谱（DAS）。首次在BaBrCl：Ce3+中发现光激励发光。发射峰及光激励发光峰均位于～390nm；DAS为500～750nm的宽带谱，与BaFX：Eu2+（X=Cl，Br）相比，该吸收带与He_Ne激光器（633nm），或廉价、小巧、使用方便的半导体激光器的波长更为匹配。表明BaBrCl：Ce3+有望成为一类新型的X射线存储材料。