Au钝化Si(100)表面的电子特性 (2003年)

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文件名称：Au钝化Si(100)表面的电子特性 (2003年)

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更新时间：2024-05-27 11:36:50

自然科学 论文

用TB-LMTO方法研究单层的Au原子在理想的Si(100)表面的化学吸附。计算了 Au原子在不同位置的吸附能,吸附体系与清洁SK100)表面的层投影态密度,以及电子转移情况。结果表明,Au原子在吸附面上方的A位(顶位)吸附最稳定,Au钝化Si(100)表面可以取得明显的钝化效果,这一结论与实验事实相符合。