金属In与掺Nb的SrTiO3金属半导体接触研究 (2008年)

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文件名称：金属In与掺Nb的SrTiO3金属半导体接触研究 (2008年)
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更新时间：2021-05-12 23:19:19
自然科学 论文 研究了金属In与掺不同Nh浓度的srTiO3（Nb-STO）衬底之间构成的金属半导体结（金-半结）。测量了不同温度下的I/V曲线。在掺杂浓度为0.05wt.%衬底构成的金一半结I/V曲线中，反向电压部分得到的有效凶子n在1.05～1.10之间，且随温度变化很小，而正向的n很大，表明出势垒随着偏压的变化改变很大。金属In与Nb-STO衬底之间构成的金-半结在浓度为0.05wt.%和0.7wt.%的掺杂情况下，结点都表现出非线性的I/V关系，均不能视为欧姆接触。