文件名称：探测器级CdZnTe晶体变温特性研究* (2011年)
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更新时间：2024-06-09 20:51:22
工程技术 论文
采用未经准直能量为5．48MeV的241 Am α粒子，研究了温度在230～300K范围内，不同电场作用下CdZnTe晶体的脉冲响应信号，分析了载流子传输特性随温度变化的规律。对比了室温(298K)以及280K下探测器对241Am@59．5keVγ射线的响应光谱。同时分析了1500V/cm电场作用下探测器漏电流随温度的变化规律。研究表明，对于性能优异的CdZnTe晶体，载流子迁移率寿命积随温度变化较小。而对于存在de-trapping(去俘获)缺陷的CdZnTe样品，光生载流子在晶体中的传输会显著减缓，且