文件名称：一维光子晶体液晶微谐振腔的温度特性术 (2010年)
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更新时间：2024-06-04 09:18:09
工程技术 论文
在光子晶体中引入液晶缺陷，形成一维光子晶体液晶微谐振腔。用传输矩阵法研究了这种微谐振腔的温度特性，用 E1液晶微谐振腔进行了模拟数值计算。计算结果表明，液晶微谐振腔的特性与温度和液晶分子排列密切相关；对于液晶排列沿平行介质表面的微谐振腔，当温度升高时缺陷峰波长向长波长方向漂移，半高宽度增大，品质因子减小；而液晶排列沿介质表面法向的微谐振腔的温度变化情况则相反；温度灵敏度和透射峰高度均随温度升高而增大。温度特性为非线性关系，并随温度接近液晶相变点而变化迅速，与现有的各向同性材料微谐振腔的温度特性不同。