HgS／CdS量子线中电子与声子的相互作用 (2011年)

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文件名称：HgS／CdS量子线中电子与声子的相互作用 (2011年)
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更新时间：2021-05-20 12:01:07
自然科学 论文 在有限深势阱模型下，求出了考虑到电子-声子相互作用情况下量子线电子基态能、概率分布和禁带宽度，以HgS／ CdS量子线为例，研究了电子声子相互作用对它们的影响. 结果表明：电子- 声子相互作用会降低电子基态能，在对基态能的影响中以电子与界面光学支声子相互作用的影响最大，而与界面声学支声子相互作用影响最小；电子-声子相互作用的影响和电子由势阱透入有限高势垒的概率以及禁带宽度均随量子导线半径R的减小而增大；电子声子相互作用不改变禁带宽度随R的变化趋势，仅使其数值减小.