文件名称：过渡金属掺杂Sn02超晶格磁学和光学性质的研究* (2014年)
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更新时间：2024-06-20 04:47:53
工程技术 论文
基于密度泛函理论的第一性原理，采用全势线性缀加平面波方法（FPLAPW）和广义梯度近似（GGA）来处理相关能，计算了n层过渡金属Cr掺杂 Sn02超晶格的电子态密度、能带结构和光学性质（n=1，2，3）。结果表明，掺杂使材料均表现出了半金属性，并且导电性和磁矩随着n的增大而增强。掺杂后材料磁矩主要来源于Cr3d态，Cr的加入使O的态密度产生了自旋极化现象。在0～1.8 eV处掺杂所形成的第一吸收峰的位置随着n的增加而向高能方向推移，在1.8～7.0eV处所形成峰的峰值随着n的增大而增加，在7.0～17.0