痕量硫氰根离子的阴极溶出伏安法测定 (1997年)

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文件名称：痕量硫氰根离子的阴极溶出伏安法测定 (1997年)

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更新时间：2024-07-05 10:34:00

自然科学 论文

在含有 HClO4和 Cu(Ⅱ)的支持电解质中,得到络合物 CuSCN吸附波,该波的峰电位为- 0.45 V(相对饱和甘汞电极),峰高与 SCN-在 0.01～0 .12μg / mL的质量浓度范围内成正比。因此,该方法可用于测定痕量的 SCN-离子浓度,其检测限为0.004μg / mL。。