痕量硫氰根离子的阴极溶出伏安法测定 (1997年)

【文件属性】：
文件名称：痕量硫氰根离子的阴极溶出伏安法测定 (1997年)
文件大小：802KB
文件格式：PDF
更新时间：2021-06-15 16:47:20
自然科学 论文 在含有 HClO4和 Cu(Ⅱ)的支持电解质中,得到络合物 CuSCN吸附波,该波的峰电位为- 0.45 V(相对饱和甘汞电极),峰高与 SCN-在 0.01～0 .12μg / mL的质量浓度范围内成正比。因此,该方法可用于测定痕量的 SCN-离子浓度,其检测限为0.004μg / mL。。