文件名称：表面氢化降低SiC/金属接触间界面态密度的机理 (2005年)
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更新时间：2024-05-28 14:23:44
自然科学 论文
研究了sic表面氢化降低界面态密度的机理。采用缓慢氧化、稀释的HF刻蚀、沸水浸泡的表面氢化处理方法，降低siC表面态密度。该方法用于SiC器件的表面处理，在100℃以下制备了理想因子为1.20～1.25的6H-SIC肖特基二极管，其欧姆接触比接触电阻为（5～7）×10-3Ω·cm2。表面氢化处理的优点在于避免了欧姆接触所需的800～1200℃的高温合金，降低了工艺难度，改善了肖特基结的电学特性。