聚碳硅烷的高温陶瓷化机理 (2014年)

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文件名称：聚碳硅烷的高温陶瓷化机理 (2014年)
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更新时间：2021-05-24 09:23:59
自然科学 论文 通过TG-DTA,IR,XRD和SEM等测试方法分析研究聚碳硅烷(PCS)的热分解过程及在真空高温条件下物相成分及晶形的变化过程。研究结果表明:聚碳硅烷质量损失主要发生在300~700 ℃之间,300~450 ℃主要发生小分子聚合物以及裂解产生的分子碎片的挥发;450~650 ℃之间,Si―H和C―H键发生断裂,生成氢气、烷烃等气体;650~900 ℃,PCS发生有机无机转变,裂解产物开始具有无机特征;900~1200 ℃,裂解产物基本不再具有有机特征,PCS完全转化为无定型SiC;1 200 ℃以后,S