聚碳硅烷的高温陶瓷化机理 (2014年)

时间:2024-06-13 03:10:39
【文件属性】:

文件名称:聚碳硅烷的高温陶瓷化机理 (2014年)

文件大小:2.35MB

文件格式:PDF

更新时间:2024-06-13 03:10:39

自然科学 论文

通过TG-DTA,IR,XRD和SEM等测试方法分析研究聚碳硅烷(PCS)的热分解过程及在真空高温条件下物相成分及晶形的变化过程。研究结果表明:聚碳硅烷质量损失主要发生在300~700 ℃之间,300~450 ℃主要发生小分子聚合物以及裂解产生的分子碎片的挥发;450~650 ℃之间,Si―H和C―H键发生断裂,生成氢气、烷烃等气体;650~900 ℃,PCS发生有机无机转变,裂解产物开始具有无机特征;900~1200 ℃,裂解产物基本不再具有有机特征,PCS完全转化为无定型SiC;1 200 ℃以后,S


网友评论