C／C复合材料表面原位生长SiCw的工艺 (2012年)

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文件名称：C／C复合材料表面原位生长SiCw的工艺 (2012年)
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更新时间：2021-04-25 00:03:28
工程技术 论文 以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3, MTS)为先驱体原料，采用化学气相沉积法在C／C复合材料基体上原位生长碳化硅晶须，研究稀释气体流量、催化剂以及沉积温度对碳化硅晶须生长的影响。结果表明：有催化剂存在时可以制备具有较高长径比的SiCw，无催化剂制备的SiC主要以短棒状或球状SiC为主；随着稀释气体流量或者沉积温度的增加，SiCw的产率是先增加、后减少，在1 100℃、载气和稀释气体流量均为100 mL／min时，制备的碳化硅晶须的产率最高，晶须质量最好。