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文件名称：DMCPS/CHF3制备的F-SiCOH低k薄膜结构与沉积速率研究 (2007年)
文件大小：2.98MB
文件格式：PDF
更新时间：2021-05-19 21:55:58
自然科学 论文
以十甲基环五硅氧烷（DMCPS）和三氟甲烷（CHF3）作为反应气体，采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积（EcR.CVD）7-，制备了氟掺杂的SiCOH低介电常数薄膜。研究发现：随着CHF3/DMCPS流量比的增大薄膜的沉积速率呈“N”型变化。根据薄膜结构和成分的傅立叶变换红外光谱仪（FⅡR）、X射线光电子能谱（XPS）以及放电等离子体中基团分步的光强度标定的发射光谱（0Es）分析可知：薄膜沉积速率的变化是由于CHF3进气量的增加导致薄膜生长从以沉积F-SiCOH薄膜为主过渡到以沉积氟化非晶碳（a-C：F