MOSFET开关损耗分析

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文件名称：MOSFET开关损耗分析

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更新时间：2024-05-06 09:09:52

MOSFET；带电插拔 缓启动；开关损耗

为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖，定位了MOSFET 开关损耗的来源，进而为缓启动电路设计优化，减少MOSFET的开关损耗提供了技术依据。