采用20nm FinFET技术的高速节能倍增器-研究论文

时间:2024-06-09 10:44:56
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文件名称:采用20nm FinFET技术的高速节能倍增器-研究论文

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更新时间:2024-06-09 10:44:56

Delay FinFET Logic Gates Multiplier

VLSI技术对于芯片制造至关重要,并且乘法器电路用于电子产品的设计一致性,体积小,速度快等优点。乘法器在当前的计算机处理和不同应用中起着重要作用。 乘法器是某些快速框架中的关键部分,例如FIR通道,芯片,ALU和其他业务应用程序,例如PC,移动设备,快速微型计算机,以及一些广泛使用的处理器,需要倍增器。 自最近几年以来,MOSFET的微小尺寸(在许多纳米以下)带来了一些操作问题,例如,入口氧化物溢漏扩大,交叉点溢漏加剧,超限下传导高以及产量反对性降低。 为了克服上述问题,FinFET具有扩大工作速度,降低力利用,减少静态泄漏电流的优势,可通过取代MOSFET来理解大多数应用。 乘法器是通过使用FinFET设计的。 我们可以针对特定应用使用此乘数。 连续乘法器电路被广泛地用于诸如存储器的数据存储,并且被用于顺序电路。 该计划是利用具有20nm创新能力的Cadence技术重新制定的。 通过考虑基本的呈现度量,例如延期,强制和强制推迟项目(PDP),能量延缓项目(EDP)测量,而不是其他标准电路来进行近乎执行调查。


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