文件名称：高阻硅衬底MOS结构共面波导的偏压特性 (2012年)
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更新时间：2024-05-14 22:15:14
自然科学 论文
提出一种新型高阻硅(电阻率ρ>8kΩ・cm)衬底 MOS(metal-oxide-semiconductor)结构的凸起式共面波导。给出了其在50MHz~40GHz频段的插入损耗和回波损耗测试结果，以及在-40V ~+40V 直流偏压下散射参数的变化。结果表明，随着偏压的变化，回波损耗在Ka波段极值点的频率和幅值均会产生偏移，插入损耗极值点的频率基本没有偏移，只存在幅值偏移。共面波导的损耗偏移与 MOS结构的Si-SiO2界面效应有关，在凸起式共面波导损耗的偏压实验中，观察到与传统MOS结构共面波导相反的