文件名称：InGaAsBi / GaAs应变量子阱的光学性质通过温度相关的光致发光研究
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更新时间：2024-04-17 09:33:58
InGaAsBi; strained quantum wells; photoluminescence
使用温度依赖性从12 K到450 K的光致发光研究了铋对InGaAsBi / GaAs量子阱结构的光学性能的影响。证实了铋在InGaAsBi量子阱中的掺入并导致其红移。在300 K下的光致发光波长为27.3 meV。由于铋的表面活性剂作用，相对于InGaAs量子阱，在12 K时光致发光强度显着提高了约50倍。 两个样品的依赖温度的积分光致发光强度揭示了与各种非辐射重组过程有关的不同行为。 铋的掺入还引起量子阱中合金的不均匀，从而导致增加的光致发光线宽。